上海微技术工业研究院提供MEMS工艺模块化加工服务

 

上海工研院提供工艺模块化加工服务,包括MEMS专用SOI晶圆、MEMS专用CSOI晶圆、C-SOI基底AlN压电工艺PDK、高厚度干膜和聚酰亚胺薄膜工艺PDK:

SOI晶圆是在顶硅层和底层衬底硅之间生长一层二氧化硅埋氧层形成的一种三明治结构,可以实现三维结构的精准定义,在多种MEMS器件中的应用广泛。本公司的SOI晶圆加工服务,主要提供各种MEMS器件专用SOI晶圆,包括惯性传感器、压力传感器、声学传感器、光学微镜和RF开关等,能够满足客户各种规格的灵活定制需求。MEMS专用SOI晶圆PDK文件介绍了SOI晶圆的大致结构、制作工艺流程、性能参数、定制规则和订购流片方式。

CSOI晶圆是在具有空腔的顶硅层或底层衬底硅之间引入一层二氧化硅埋氧层形成的一种带空腔的三明治结构,可以实现三维结构的精准定义,且无须额外的空腔释放工艺。本公司的CSOI晶圆加工服务,主要提供各种MEMS器件专用CSOI晶圆,包括惯性传感器、压力传感器、声学传感器、谐振器和微流体等,能够满足客户各种规格的灵活定制需求。MEMS专用CSOI晶圆PDK文件介绍了SOI晶圆的大致结构、制作工艺流程、性能参数、版图规范、定制规则和订购流片方式。

CSOI作为一种前沿的SOI技术,可以显著降低SOI晶圆器件和处理层间的寄生电容。在此基础上进行AlN工艺的图形化形成以Mo作电极、AlCu作导线的压电叠层结构,可以实现更高性能、更大自由度的器件功能。C-SOI基底AlN压电工艺模块可以支撑不同频段、不同类型声学传感器及其他品类传感器的研制,在消费电子、工业、医疗等领域具有广泛的应用。C-SOI基底AlN压电工艺PDK介绍了C-SOI基底AlN压电工艺工艺的大致结构、制作工艺流程及工艺指标、版图制备标准、设计规范和订购流片方式。
干膜是一种高分子材料,通过紫外线照射后能够发生一种聚合反应,形成一种稳定的物质附着于硅片表面,从而达到阻挡电镀和刻蚀的功能,有时也作为聚合物材料留在硅片,起到结构层的作用,在生物类芯片中有着广泛应用。高厚度干膜PDK文件主要介绍高厚度干膜的大致结构、制作工艺流程、结构参数、版图规范和订购流片方式。

聚酰亚胺薄膜是一种性质稳定的高分子聚合物,其凭借高热稳定性、机械强度、耐化学性、介电性能和生物相容性等综合特性,被广泛应用于微电子、传感器、储能、生物医学和航空航天等领域。聚酰亚胺薄膜的牺牲释放是实现很多MEMS器件悬空结构可动功能的关键工艺。聚酰亚胺薄膜PDK依托MEMS红外传感器介绍了使用聚酰亚胺薄膜作为支撑结构的器件基本结构和大致制作工艺流程、薄膜释放的结构参数、版图规范、关键工艺参数和订购流片方式。

您可通过如下PDK(标准设计工具包)文件了解相应模块的工艺指标及定制需求。如有相关需求,欢迎垂询!

附录1:MEMS专用SOI晶圆PDK

附录2:MEMS专用CSOI晶圆PDK

附录3:C-SOI基底AlN压电工艺PDK

附录4:高厚度干膜PDK

附录5:聚酰亚胺薄膜PDK

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