测试服务

MEMS晶圆级测试

随着智能终端产品的广泛应用，MEMS传感器的市场需求也越来越大，为了提高良率，MEMS晶圆阶段的测试变得越来越重要，尤其是MEMS晶圆级动态参数的测试需求越来越急迫。SITRI引进STI3000动态晶圆级测试系统，通过一个驱动电压在晶圆上驱动MEMS移动，从而测量由此产生的相关各种特性。配合8英寸自动探针台，可测试4/6/8英寸MEMS晶圆。

可测MEMS类型：

• 加速度计
• 陀螺仪
• 麦克风
• 压力传感器

可测参数：

• 漏电流、电容等静态参数
• 谐振频率、品质因素、阻尼系数、正交误差等动态参数

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MEMS产品测试

SITRI提供完整的MEMS产品测试服务，包括测试方案制定、程序开发、硬件设计和批量测试等服务，可测封装尺寸范围1mm*1mm~5mm*5mm。

可测MEMS类型：

• 加速度计
• 陀螺仪
• 湿度传感器
• 压力传感器
• 磁传感器
• 温度传感器

可测参数：

• 输出电压
• 电流功耗
• 噪声
• 灵敏度
• 零位输出
• 线性度
• 灵敏度温飘
• 零位温飘
• 线性度温飘

   

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模拟及混合信号测试

SITRI支持模拟信号及混合信号集成电路产品各种性能参数测试。测试程序开放式可供编译，灵活多变的测试电路，高精度多工位测试，可满足产品研发及工程量产需求。

可测器件类型：

• LED驱动
• 电源管理IC
• 模拟开关
• 运算放大器
• 锂电池保护

可测参数：

工作电压，工作电流，静态电流，参考电压，参考电流，导通电阻，阈值电压，工作频率，响应时间，开关时间，失调电压，增益。

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功率器件测试

SITRI可测试集成化的功率器件的所有静态及动态参数。友好简单的测试程序操作界面，无需额外开发，测试结果及测试波形曲线实时反馈，测试规范遵循国际标准IEC-60747-9。

可测功率器件类型：

• 单芯片MOSFET
• 单芯片IGBT
• 单芯片二极管
• IGBT模块

可测量的参数：

• 栅极开启电压，饱和压降，漏电流，续流二极管正向电压等静态参数；
• 单脉冲反偏安全工作区，双脉冲反偏安全工作区，短路安全工作区，栅电荷，开启时间，关断时间，续流二极管恢复电荷等动态参数。