上海工研院硅光平台具备高精度光刻、晶体外延、介质薄膜生长、干法与湿法刻蚀、掺杂、金属互连及在线工艺检测等工艺能力。针对不同应用场景，先后突破180 nm无源、180 nm有源、90 nm有源工艺技术，开发建立220 nm SOI、1.5~3 μm SOI、SiN、SiN/SOI、LiNO₃等多套集成工艺与器件PDK，不断提升硅光平台对外服务能力。

        2023年，已发布基于90 nm工艺节点的SOI PDK，核心器件库性能达到国际主流水平，可提供光收发、光传感等多种硅光芯片的研发、MPW等小批量流片服务。